东芝TOSHIBA现货二极管1SS181 3K(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA东芝 | |
| 型号/规格： | 1SS181 | |
| 封装形式： | 贴片式 |
| 产品类型 | 开关管 | 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 |
| 型号/规格 | 1SS181 | 结构 | 扩散型 |
| 封装形式 | 贴片式 | 发光颜色 | 橙色 |
| LED封装 | 无色散射(W) | 出光面特征 | 侧向管 |
| 发光强度角分布 | 散射型 | 正向直流电流IF | 00（A） |
| 反向电压 | 00（V） |
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东芝MOS管TPC8020-H 原装现货350K
信息内容：品牌/商标 东芝 型号/规格 TPC8020-H 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 部件型号TPC8020-H极性N沟漏源电压VDSS30 V漏电流ID13 A漏功耗PD1.9 W门电荷总数Qg(nC) (标准)23漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4.5V0.013 Ω漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.009 Ω封装SOP-8(5.5 x 6.0)表面安装型Y用途手机，笔记本电脑产品分类功率MOSFET (N沟 VDSS≤30V)装配基础日本, 马来西亚
东芝MOSFET SSM5H01TU 原装
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 SSM5H01TU 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 部件型号SSM5G01TU 内部连接独立 额定电压(Q1)()VDS= -30V 额定电流(Q1)ID= -1000mA 其他特性(Q1)P沟 RDS(ON)=0.8Ω max @VGS=-4V 额定电压(Q2)VR= 20V 额定电流(Q2)IO= 500mA 其他特性(Q2)SBD: VF=0.45V max @0.3A 封装UFV(2.0 x 2.1) 表面安装型Y 产品分类多芯片分立器件(P沟+SBD)
