价 格: | 面议 | |
品牌: | 东芝 | |
型号: | TPC8020-H |
品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | TPC8020-H |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 |
部件型号 | TPC8020-H | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 30 V | |
漏电流ID | 13 A | |
漏功耗PD | 1.9 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 23 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4.5V | 0.013 Ω | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.009 Ω | |
封装 | SOP-8(5.5 x 6.0) | |
表面安装型 | Y | |
用途 | 手机,笔记本电脑 | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 VDSS≤30V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 SSM5H01TU 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 部件型号SSM5G01TU 内部连接独立 额定电压(Q1)()VDS= -30V 额定电流(Q1)ID= -1000mA 其他特性(Q1)P沟 RDS(ON)=0.8Ω max @VGS=-4V 额定电压(Q2)VR= 20V 额定电流(Q2)IO= 500mA 其他特性(Q2)SBD: VF=0.45V max @0.3A 封装UFV(2.0 x 2.1) 表面安装型Y 产品分类多芯片分立器件(P沟+SBD)
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TPCS8212 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型