东芝电子元器件开关二极管 1SS311
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 东芝 | |
| 型号/规格： | 1SS311 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 |
| 品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | 1SS311 |
| 产品类型 | 开关管 | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 方形 |
| 发光强度角分布 | 散射型 | 正向直流电流IF | 00（A） |
| 反向电压 | 00（V） |
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MOS管东芝TOSHIBA 2SK4111原装
信息内容：品牌/商标 东芝TOSHIBA 型号/规格 2SK4111 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 00（V） 夹断电压 00（V） 低频跨导 00（μS） 极间电容 00（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏极电流 00（mA） 耗散功率 00（mW） 部件型号2SK4111 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220NIS 产品分类功率M...
东芝MOSFET 2SK2611 原装
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2611 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 00（V） 夹断电压 00（V） 低频跨导 00（μS） 极间电容 00（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏极电流 00（mA） 耗散功率 00（mW）
