MOS管东芝TOSHIBA 2SK4111原装
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 东芝TOSHIBA | |
| 型号： | 2SK4111 |
| 品牌/商标 | 东芝TOSHIBA | 型号/规格 | 2SK4111 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 00（V） | 夹断电压 | 00（V） |
| 低频跨导 | 00（μS） | 极间电容 | 00（pF） |
| 低频噪声系数 | 00（dB） | 漏极电流 | 00（mA） |
| 耗散功率 | 00（mW） |
| 部件型号 | 2SK4111 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.75 Ω | |
| 封装 | TO-220NIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
- 所属城市：上海 上海市
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东芝MOSFET 2SK2611 原装
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2611 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 00（V） 夹断电压 00（V） 低频跨导 00（μS） 极间电容 00（pF） 低频噪声系数 00（dB） 漏极电流 00（mA） 耗散功率 00（mW）
东芝MOSFET TPA8207 原装
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TPC8207 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 部件型号TPC8207 极性N沟+N沟 漏源电压VDSS20 V 漏电流ID6 A 漏功耗PD1.5 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)22 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=2.5V0.03 Ω 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V0.02 Ω 封装SOP-8(5.5 x 6.0) 用途手机，笔记本电脑 备注双 产品分类功率MOSFET (N溝 VDSS≤30V) 装配基础日本, 马来西亚
