专营发光LED二极管KDR730E-RTK/P
| 价 格： | 面议 |
| 产品类型 | 发光二极管 | 品牌/商标 | KEC |
| 型号/规格 | KDR730E-RTK/P | 结构 | 平面型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 发光颜色 | 白色 | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 30（V） |
| 正向直流电流IF | 0.2（A） |
特点
固有匹配的LED电流。
高效率：87％（）
在一个开放的电路保护内置的LED失败。
驱动多达五个LED
内置在N沟道MOSFET开关。
快速频率为1.1MHz（典型值）开关频率。
宽调光控制范围：12％?100％。
自动软启动
在OVD Bulit（过电压保护）。
极低的高度和小包装。
应用
Celluar电话
智能手机
掌上电脑
数码相机
MP3播放器，彩色显示器
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 赵燕铃
- 电话：0755-83687685
- 传真：0755-83687685
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专营集成电路驱动IC AAT3120ITP-T1
信息内容：品牌/商标 AT 型号/规格 AAT3120ITP-T1 封装 TSOPJW-12 批号 08ROHS 类型 驱动IC VIN范围：2.7V至5.5V•分数电荷泵模式•驱动器低VF和高VF型发光二极管•最多三个LED输出- 单线编程- 八个调节电流设置- 每通道20毫安•低噪声恒定频率工作•无电感器•1MHz的开关频率•小型应用电路•自动软启动•IQ<1μA关断•12引脚TSOPJW封装应用•彩色（RGB）照明•可编程电流源
高频功率三极管2SK3079A硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK3079A 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 VHF/甚高频 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 10（V） 跨导 *（μS） 极间电容 13（pF） 低频噪声系数 13.5（dB） 漏极电流 50（mA） 耗散功率 200（mW） 硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用 东芝场效应晶体管型硅N沟道MOS470兆赫频带放大器应用（注）东芝本文件中所列产品用于高频功率放大器的电信设备。不要使用这些东芝在本文...
