高频功率三极管2SK3079A硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK3079A |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK3079A |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | VHF/甚高频 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | *（μS） | 极间电容 | 13（pF） |
| 低频噪声系数 | 13.5（dB） | 漏极电流 | 50（mA） |
| 耗散功率 | 200（mW） |
硅N沟道MOS型470兆赫频带放大器应用 东芝场效应晶体管型硅N沟道MOS470兆赫频带放大器应用
（注）东芝本文件中所列产品用于高频功率放大器的电信设备。不要使用这些东芝在本文件中所列的产品除外高频功率放大器的电信设备
*输出功率：宝=33.50dBmW（2.2宽）（分钟）
*增益：糖=十三点五○分贝（分钟）
*漏极效率：ηD=50.0％（分钟）
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 赵燕铃
- 电话：0755-83687685
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专营集成电路放大IC BGA2003
信息内容：品牌/商标 PHILIPS 型号/规格 BGA2003 封装 SOT-343 批号 04+ 类型 放大器
专营变容二极管BB178
信息内容：产品类型 变容管 品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BB178 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 32（V） 正向直流电流IF 0.02（A）
