12A 100V 88W场效应管IRF9530
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 三星 | |
| 型号： | IRF9530 |
| 品牌/商标 | IR 三星 | 型号/规格 | IRF9530 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 22（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 12（mA） |
| 耗散功率 | 88（mW） |
P场IRF9530：12A 100V <0.3Ω 88W
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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IRFBC20 BC20 IRFIBC20
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBC20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 2.2A（mA） 耗散功率 50W（mW）
8A 600V场效应MOS管FQP8N60C
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FQP8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 30（μS） 极间电容 3000（pF） 漏极电流 8A（mA） 耗散功率 100（mW） 本商行同时供应以下8A 600V场效应MOS管系列9N60，9N65，9N796N607N60FS7KM-12
