6.8A 100V 60W场效应管IRF9520
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 三星 | |
| 型号： | IRF9520 |
| 品牌/商标 | IR 三星 | 型号/规格 | IRF9520 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 2222（μS） | 极间电容 | 24（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 6.8（mA） |
| 耗散功率 | 60（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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12A 100V 88W场效应管IRF9530
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 12（mA） 耗散功率 88（mW） P场IRF9530：12A 100V <0.3Ω 88W
IRFBC20 BC20 IRFIBC20
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBC20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 2.2A（mA） 耗散功率 50W（mW）
