115A 30V场效应MOS管IRL2203N
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRL2203N |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL2203N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 漏极电流 | 115A（mA） | 耗散功率 | 180W（mW） |
供应30V-40V系列大电流场效应MOS管
02N03L05
03N03
04N03
05N03
HUF76145P
N302AP-N304AP
IRF1404
22N03-152N03
- 所属城市：广东 汕头
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57A 100V场效应MOS管IRF3710
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3710 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 72（pF） 漏极电流 57（mA） 耗散功率 200W（mW）
2A 400V 40W场效应管J117
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J117 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 400（V） 低频跨导 223（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 2（mA） 耗散功率 40（mW） P场J117：2A 400V <7Ω 40W
