品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3710 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2(V) | 夹断电压 | 100(V) |
极间电容 | 72(pF) | 漏极电流 | 57(mA) |
耗散功率 | 200W(mW) |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J117 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 3(V) 夹断电压 400(V) 低频跨导 223(μS) 极间电容 25(pF) 低频噪声系数 3(dB) 漏极电流 2(mA) 耗散功率 40(mW) P场J117:2A 400V <7Ω 40W
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J293 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5(V) 夹断电压 60(V) 低频跨导 2232(μS) 极间电容 35(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 15(mA) 耗散功率 50(mW)