现货供应6A 600V场效应MOS管2SK1117
| 价 格： | 1.20 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK1117 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK1117 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 漏极电流 | 6A（mA） | 耗散功率 | 100W（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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STP75NF75 STP75N75 75N75
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 75（V） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 300W（mW） 电动自行车变速器专用MOS管STP75NF75AOT428AOT430K3434K3435K4145
115A 30V场效应MOS管IRL2203N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL2203N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 30（V） 低频跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 漏极电流 115A（mA） 耗散功率 180W（mW） 供应30V-40V系列大电流场效应MOS管02N03L0503N0304N0305N03HUF76145PN302AP-N304APIRF140422N03-152N03
