3A 500V场效应管K2185
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K2185 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K2185 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 6（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 低频跨导 | 2212（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 16（dB） | 漏极电流 | 3（mA） |
K2185：3A 500V <2.3Ω
- 所属城市：广东 汕头
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6.8A 60V 60W场效应管IRF9521
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9521 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2222（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 6.8（mA） 耗散功率 60（mW） P场IRF9521：6.8A 60V <0.6Ω 60W
25A 60V 40W场效应管J477
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J477 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2222（μS） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 25（mA） 耗散功率 40（mW）
