价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | BT | |
型号/规格: | 2SC1106 | |
功率特性: | 中功率 | |
频率特性: | 中频 | |
极性: | PNP型 | |
封装形式: | 直插型 |
品牌/商标 | BT | 型号/规格 | 2SC1106 |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 锗(Ge) |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
集电极允许电流ICM | 2(A) | 集电极耗散功率PCM | 80(W) |
营销方式 | 厂家直销 | 产品性质 | 热销 |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR5410 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 4(V) 跨导 10(μS) 极间电容 760(pF) 低频噪声系数 5(dB) 漏极电流 13(mA) 耗散功率 66(mW)
品牌/商标 Philips飞利浦 型号/规格 BT131-600E 控制方式 双向 极数 二极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 1(A) 控制极触发电流 5(mA) 稳定工作电流 1(A) 反向重复峰值电压 600(V)