品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFR5410 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 10(V) | 夹断电压 | 4(V) |
跨导 | 10(μS) | 极间电容 | 760(pF) |
低频噪声系数 | 5(dB) | 漏极电流 | 13(mA) |
耗散功率 | 66(mW) |
品牌/商标 Philips飞利浦 型号/规格 BT131-600E 控制方式 双向 极数 二极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 1(A) 控制极触发电流 5(mA) 稳定工作电流 1(A) 反向重复峰值电压 600(V)
品牌/商标 HSMC CX 台产 国产 型号/规格 HJ112、HJ117、HJ122、HJ127 应用范围 功率 极性 NPN型 结构 平面型 材料 硅 封装形式 TO-252 封装材料 塑料封装