20A 60V 35W场效应管J294
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J294 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J294 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 2232（μS） | 极间电容 | 32（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | 漏极电流 | 20（mA） |
| 耗散功率 | 35（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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9A 200V 74W场效应管IRF630
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRF630 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 200（V） 极间电容 21（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 9（mA） 耗散功率 74（mW） IRF630:9A 200V <0.4Ω 74W
28A 100V 150W场效应管IRF540
信息内容：品牌/商标 SSI美国固体工业 型号/规格 IRF540 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 7（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 4（dB） 漏极电流 28（mA） 耗散功率 150（mW） IRF540：28A 100V <77mΩ 150W
