12A 100V 35W场效应管J380
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J380 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J380 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 222（pF） |
| 低频噪声系数 | 8（dB） | 漏极电流 | 12（mA） |
| 耗散功率 | 35（mW） |
P场J380：12A 100V 0.21Ω 35W
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏春湖
- 电话：86 0754 84483628
- 传真：86 0754 84493628
- 手机：13322722404
- QQ ：
75A 60V 场效应管75N06 75N05
信息内容：品牌/商标 摩托罗拉，雷达，威世 型号/规格 MTP75N06 SUP75N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 150W（mW） 75N06 75A 60V 10mΩ 150W75N05 75A 50V 9.5mo150W
60A 60V 150W场效应管60N06
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 60N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 23（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 60（mA） 耗散功率 150（mW）
