品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K1924 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 6(V) | 夹断电压 | 600(V) |
低频跨导 | 2654(μS) | 极间电容 | 23(pF) |
低频噪声系数 | 14(dB) | 漏极电流 | 6(mA) |
耗散功率 | 70(mW) |
K1924:6A 600V <1.5Ω 70W
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J380 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5(V) 夹断电压 100(V) 低频跨导 20(μS) 极间电容 222(pF) 低频噪声系数 8(dB) 漏极电流 12(mA) 耗散功率 35(mW) P场J380:12A 100V 0.21Ω 35W
品牌/商标 摩托罗拉,雷达,威世 型号/规格 MTP75N06 SUP75N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 60(V) 低频跨导 222(μS) 极间电容 222(pF) 低频噪声系数 222(dB) 漏极电流 75A(mA) 耗散功率 150W(mW) 75N06 75A 60V 10mΩ 150W75N05 75A 50V 9.5mo150W