场效应管MOS管K2333
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | 日本新电元 | |
| 型号： | K2333 |
| 品牌/商标 | 日本新电元 | 型号/规格 | K2333 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 700V（V） | 低频跨导 | 222（μS） |
| 极间电容 | 2222（pF） | 低频噪声系数 | 2（dB） |
| 漏极电流 | 6A（mA） | 耗散功率 | 50W（mW） |
K2333 6A 700V 2Ω 50W
6N60，6N60,7N60，7N70
K2141,2545,3115,3562
拆机，散新
用于电源开关，充电器
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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75A 100V场效应管IRFB4710
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4710 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 180W（mW） IRFB4710 75A 100V 0.014O 180WFDP3652 61A 100V 0.016O 150W
6A 600V 70W场效应管K1924
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K1924 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 2654（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 14（dB） 漏极电流 6（mA） 耗散功率 70（mW） K1924:6A 600V <1.5Ω 70W
