LM7806 L7806 KA7806
| 价 格： | 0.60 | |
| 品牌/商标： | ST 国半 仙童 三星 摩托罗拉 安美森 | |
| 型号/规格： | 7806 |
| 品牌/商标 | ST 国半 仙童 三星 摩托罗拉 安美森 | 型号/规格 | 7806 |
| 批号 | 拆机 | 封装 | TO-220 |
| 营销方式 | 厂家直销 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 大规模 |
| 规格尺寸 | TO-220（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 20（mW） | 类型 | 稳压IC |
三端稳压7806的参数1-1.5A 6V
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管MOS管K2333
信息内容：品牌/商标 日本新电元 型号/规格 K2333 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 700V（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 6A（mA） 耗散功率 50W（mW） K2333 6A 700V 2Ω 50W 6N60，6N60,7N60，7N70 K2141,2545,3115,3562 拆机，散新 用于电源开关，充电器
75A 100V场效应管IRFB4710
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4710 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 180W（mW） IRFB4710 75A 100V 0.014O 180WFDP3652 61A 100V 0.016O 150W
