批发耗尽型MOS管N沟道FGL60N100BNTD，仙童原装
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FGL60N100BNTD |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FGL60N100BNTD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 漏极电流 | 60（mA） | 耗散功率 | 180（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张昊
- 电话：0755-26058625
- 传真：0755-26058625
- 手机：
- QQ ：
日本富士EXB841等IGBT驱动电路
信息内容：品牌/商标 富士FUJI 型号/规格 EXB841 封装 单排直插13脚 批号 07+ 类型 驱动IC
英飞凌耗尽型MOS管N沟道 11N60
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 11N60C3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 跨导 10（μS） 极间电容 50（pF） 代理经销SPP11N60C3 SPA11N60C3英飞凌MOS管价格优惠主要参数 产地：德国SPP11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 120W TO-220SPA11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 33W TO-220F英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种非常的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控...
