英飞凌耗尽型MOS管N沟道 11N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | 11N60C3 |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 11N60C3 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 10（μS） | 极间电容 | 50（pF） |
代理经销SPP11N60C3 SPA11N60C3英飞凌MOS管价格优惠
主要参数 产地：德国
SPP11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 120W TO-220
SPA11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 33W TO-220F
英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种非常的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度极高，生产的器件有一个重要特点就是一致性特别好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。
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