IHW30N160R2 IGBT单管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON英飞凌 | |
| 型号/规格： | IHW30N160R2 |
| 品牌/商标 | INFINEON英飞凌 | 型号/规格 | IHW30N160R2 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
| 开启电压 | 1600（V） | 夹断电压 | 1600（V） |
| 跨导 | 500（μS） | 极间电容 | 2740（pF） |
| 漏极电流 | 0.15（mA） | 耗散功率 | 312（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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变频器专用IGBT
信息内容：应用范围 通用 品牌/商标 英飞凌 产品系列 客户要求 型号/规格 客户要求 额定电压 客户要求（V） 适配电机功率 1.1（kW） 滤波器 内置1A滤波器 直流电源性质 电压型 控制方式 转差频率 供电电压 高压 电源相数 三相 输出电压调节方式 高载频PWM控制 外型 铁壳 营销方式 低价 额定电流 8-60（A） 销售英飞凌Infineon/EUPEC高压~大功率IGBT模块和工业级单管，仙童场效应管，IGBT驱动电路。配套用于中频电炉，中频电源控制板，加热设备等。具有的性能价格比两单元IGBT 1200V/1700V系列BSM50GB120DN2/D...
批发耗尽型MOS管N沟道FGL60N100BNTD，仙童原装
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGL60N100BNTD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 1200（V） 漏极电流 60（mA） 耗散功率 180（mW）
