快恢复管YG802C04，增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FUJ | |
| 型号： | YG802C04 |
| 品牌/商标 | FUJ | 型号/规格 | YG802C04 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HA/行输出级 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列电子元件
| IRF7201 | IOR | SOP8 | |
| IRF7403 | IOR | SOP8 | |
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| IR2301S | IOR | SOP-8 |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 王钟禄
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LT1070增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 ROHM 型号/规格 LT1070 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
FCQ20A06增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 FCQ20A06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管D1398型号:D1398 ??封装:TO-3P ??备注:NPN ??说明:Di 1500V 5A 80W ??D1403型号:D1403 ??封装:TO-3P ??备注:NPN ??说明: 1500V 6A 120W ??D1409型号:D1409 ??封装:TO-220 ??备注:...
