FCQ20A06增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 富士通 | |
| 型号： | FCQ20A06 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | FCQ20A06 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| D1398 |
| 型号:D1398 ??封装:TO-3P ??备注:NPN ??说明:Di 1500V 5A 80W ?? |
| D1403 |
| 型号:D1403 ??封装:TO-3P ??备注:NPN ??说明: 1500V 6A 120W ?? |
| D1409 |
| 型号:D1409 ??封装:TO-220 ??备注:N达 ??说明: 600V 6A 25W ?? |
| D1415 |
| 型号:D1415 ??封装:TO-220F ??备注:N达 ??说明: 100V 7A 30W ?? |
| D1425 |
| 型号:D1425 ??封装:TO-3PF ??备注:NPN ??说明:Di 1500V 2.5A 80W ?? |
| D1427 |
| 型号:D1427 ??封装:TO-3PF ??备注:NPN ??说明:Di 1500V 5A 80W ?? |
| D1435 |
| 型号:D1435 ??封装:TO-3P ??备注:N达 ??说明: 100V 15A 100W ?? |
| D1439 |
| 型号:D1439 ??封装:TO-3P ??备注:NPN ??说明:Di 1500V 3A 50W ?? |
| D1505 |
| 型号:D1505 ??封装:TO-220 ??备注:NPN ??说明: 60V 3A 30W ?? |
| D1559 |
| 型号:D1559 ??封装:TO-3P ??备注:N达 ??说明: 100V 20A 100W ?? |
| D1575 |
| 型号:D1575 ??封装:TO-220 ??备注:NPN ??说明: 1500V 2.5A 40W ?? |
| D1609 |
| 型号:D1609 ??封装:TO-126 ??备注:NPN ??说明: 160V 0.1A 1.25W ?? |
| D1616 |
| 型号:D1616 ??封装:TO-92 ??备注:NPN ??说明: 80V 1A 0.75W ?? |
| D1756 |
| 型号:D1756 ??封装:TO-220 ??备注:N达 ??说明: 200V 10A 40W ?? |
- 所属城市：广东 汕头
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增强型MOS管N沟道 LM2940-5.0
信息内容：品牌/商标 ROHM 型号/规格 LM2940-5.0 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
场效应管2SK2130
信息内容：品牌/商标 panasoni 型号/规格 2SK2130 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
