品牌/商标 | HY | 型号/规格 | HY1808P |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | TR/激励、驱动 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 40(V) | 夹断电压 | 40(V) |
跨导 | 10(μS) | 极间电容 | 10(pF) |
低频噪声系数 | 10(dB) | 漏极电流 | 10(mA) |
耗散功率 | 10(mW) |
电动车电源控制MOS管HY1808P,封装TO-220-3,完全代替ST和仙童的75NF75
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型号:HY1708P(可替代ST75NF75)
封装:TO-220-3
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品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF9630PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 -200(V) 夹断电压 -10(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 -6500(mA) 耗散功率 74000(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP4368PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 350000(mA) 耗散功率 520000(mW)