优势供应可控硅BT169D NXP TO-92
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | NXP恩智浦 | |
| 型号： | BT169D |
| 品牌/商标 | NXP恩智浦 | 型号/规格 | BT169D |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 封装外形 | TO-92 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 功率特性 | 小功率 | 频率特性 | 中频 |
| 额定正向平均电流 | 0.5（A） | 控制极触发电压 | 5（V） |
| 控制极触发电流 | 1（mA） | 正向重复峰值电压 | 400（V） |
| 反向阻断峰值电压 | 400（V） |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 颜婵銮
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优势供应可控硅BT131-600E NXP
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BT131-600E 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 TO-92 关断速度 高频(快速) 散热功能 不带散热片 功率特性 小功率 频率特性 中频 额定正向平均电流 2（A） 控制极触发电压 0.7（V） 控制极触发电流 10（mA） 正向重复峰值电压 600（V） 反向阻断峰值电压 600（V）
优势供应 场效应管 2301 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 2301 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.65（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 2800（mA） 耗散功率 700（mW） 2301 SOT-23 3000PCS/盘 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 ---------------------------------------...
