优势供应 场效应管 2301 SOT-23 贴片MOS管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 台产正品 | |
| 型号： | 2301 |
| 品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 2301 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 0.65（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 漏极电流 | 2800（mA） | 耗散功率 | 700（mW） |
2301 SOT-23 3000PCS/盘
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -20V
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ
RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
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公司简介：
深圳市福田区新亚洲电子市场阔晶电子商行自成立以来，一直凭“质量、价格合理、交货快捷”的经营宗旨，积极拓展货源和营销渠道，不断提高服务质量，因而得到广大用户的大力支持和高度信任。我们继续坚持公司的经营宗旨，不断用户提供更优质的服务，欢迎新老客户与我们联系，建立长期、友好的合作关系，同时也希望能与电子界同行进行广泛的交流合作，共同业界的繁荣发展作出应有的贡献！
主要业务：
深圳市福田区新亚洲电子市场阔晶电子商行是一家经营二、三极管、IC批发商。主要销售世界知名厂商生的DIP和SMD三极管，品种齐全，主要品有：集成IC、光藕、二三极管、场效应管、可控硅、三端稳压以及配套全系列电阻电容等数万个品种，,产品广泛用于通讯电脑家用电器、玩具、电子节能灯、数码技术产品等多个领域质量保证，价格特优，并常备大量现货供应。期待与您的合作
联系方式：
业务主管：颜婵贞 13632530586 QQ 420205996 MSN：szcool2009@hotmail.com
联系电话：TEL：0755-83234429 FAX：0755-825253938 E-mail:szcool2009@hotmail.com
销售门市：深圳市福田区华强北中航路新亚洲二期商城N1B250柜
付款方式：
款到发货，快递代收，或者支付宝担保，仅支持开普票，3%增值税票（打款请打至我司指定公司账号），税点另加，
（目前可支持的私人账号：交通银行，招商银行，中国银行，农业银行，工商银行，建设银行，兴业银行，中国邮政储蓄银行，)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 颜婵銮
- 电话：755-83234439
- 传真：755-83234439
- 手机：
- QQ ：
优势供应MOS管 MT4946 SOP-8 60V
信息内容：品牌/商标 MT 型号/规格 MT4946 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1.5（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 5000（mA） MOS管供应商，期待与您的合作。。 MT4946 SOP-8 2500PCS/盘60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 60V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 60VRDS(ON),Vgs@10V,Ids@5A = 28mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4A= 32mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 完好的雪崩性...
优势供应 场效应管 贴片MOS管 CEM9926
信息内容：品牌/商标 CET华瑞 型号/规格 CEM9926 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 2000（mW） CEM9926 SOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功...
