品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | L7805CV |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | N/P型 | 击穿电压VCBO | 35(V) |
集电极允许电流ICM | 1.5(A) | 集电极耗散功率PCM | 2(W) |
截止频率fT | 5(MHz) | 结构 | 外延型 |
封装形式 | TO-220 | 封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP2907PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 75(V) 夹断电压 75(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 209000(mA) 耗散功率 470000(mW)
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L7812CV 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 N/P型 击穿电压VCBO 40(V) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 2(W) 截止频率fT 5(MHz) 结构 外延型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装