品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP2907PBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 75(V) | 夹断电压 | 75(V) |
跨导 | -(μS) | 极间电容 | -(pF) |
低频噪声系数 | -(dB) | 漏极电流 | 209000(mA) |
耗散功率 | 470000(mW) |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 L7812CV 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 N/P型 击穿电压VCBO 40(V) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 2(W) 截止频率fT 5(MHz) 结构 外延型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 50000(mA) 耗散功率 300000(mW)