FQPF4N90C 场效应管 /MOS-FET
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD | |
| 型号/规格： | FQPF4N90C |
| 类型 | 稳压IC | 品牌/商标 | FAIRCHILD |
| 型号/规格 | FQPF4N90C | 封装 | TO-220F |
| 批号 | 10+ |
FQP4N90C/FQPF4N90C
900V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，
平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术，特别是针对已
限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了在高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件非常
适用于高效率开关模式电源。
特点
•第4A，900V的，的RDS（on）=4.2Ω@的VGS=10伏
•低栅极电荷（典型17nC）
•低Crss（典型值5.6pF）的
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv /dt的能力
- 所属城市：广东 深圳
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AT89C52 8位单片机
信息内容：类型 单片机 品牌/商标 ATMEL 型号/规格 AT89C52 封装 DIP/SMD 批号 10+
FQPF6N60 600V的N沟道MOSFET
信息内容：类型 稳压IC 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF6N60 封装 DIP/SMD 批号 10+ FQPF6N60 600V的N沟道MOSFETFQPF6N60600V的N沟道MOSFET一般描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种先进的技术，特别是针对已限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了在高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源。特点•3.6A，600V的，的RDS（on）=1.5Ω@的VGS=10伏•低栅极电荷（典型的20北卡罗来纳州）•低Crss（典型的10pF）的•快速切换•100％雪崩测试•改进的dv /dt的能力
