FQPF6N60 600V的N沟道MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | FQPF6N60 |
| 类型 | 稳压IC | 品牌/商标 | FAIRCHILD |
| 型号/规格 | FQPF6N60 | 封装 | DIP/SMD |
| 批号 | 10+ |
FQPF6N60 600V的N沟道MOSFET
FQPF6N60
600V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，
平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术，特别是针对已
限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了在高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件非常
适用于高效率开关模式电源。
特点
•3.6A，600V的，的RDS（on）=1.5Ω@的VGS=10伏
•低栅极电荷（典型的20北卡罗来纳州）
•低Crss（典型的10pF）的
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv /dt的能力
- 所属城市：广东 深圳
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TMPA2155DS 立体声D类音频功率放大器
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AT24C128 分销 ATMEL集成电路/IC
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