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IR分销全系列场效应管 原装现货 长期供应 IRF5305PBF IRF5305

价 格: 1.95
品牌:IR美国国际整流器公司
型号:IRF5305PBF

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF5305PBF
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 DC/直流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道
开启电压 55(V) 夹断电压 10(V)
极间电容 1200(pF) 漏极电流 31(mA)
耗散功率 110(mW)

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRF5305PbF
TO-220AB PKG
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET P 通道,金属氧化物
标准型
60 毫欧 @ 16A, 10V
55V
31A
4V @ 250µA
63nC @ 10V
1200pF @ 25V
110W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
1472 (CN2010-11 Interactive)
1472 (CN2010-11 PDF)
*IRF5305PBF

彭志毫
公司信息未核实
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  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 彭志毫
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  • 传真:86 0755 82719303
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原装现货,长期供应分销:IR全系列,场效应管 IRFR5305TRPBF

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5305TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 C-MIC/电容话筒专用 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 31(V) 极间电容 1200(pF) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 110(mW)

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长期供应 IRFP22N50APBF TO-220 三极管 全新原装

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRFP22N50APBF 应用范围 达林顿 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 18(MHz) 集电极允许电流ICM 3(A) 集电极耗散功率PCM 80(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 热销

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