品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF5305PBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 10(V) |
极间电容 | 1200(pF) | 漏极电流 | 31(mA) |
耗散功率 | 110(mW) |
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IRF5305PbF |
TO-220AB PKG |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET P 通道,金属氧化物 |
标准型 |
60 毫欧 @ 16A, 10V |
55V |
31A |
4V @ 250µA |
63nC @ 10V |
1200pF @ 25V |
110W |
通孔 |
TO-220-3 |
管件 |
TO-220AB |
1472 (CN2010-11 Interactive) 1472 (CN2010-11 PDF) |
*IRF5305PBF |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5305TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 C-MIC/电容话筒专用 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 31(V) 极间电容 1200(pF) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 110(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRFP22N50APBF 应用范围 达林顿 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 18(MHz) 集电极允许电流ICM 3(A) 集电极耗散功率PCM 80(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 热销