英飞凌原装现货SPW47N60CFD耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON | |
| 型号： | SPW47N60CFD |
| 品牌/商标 | INFINEON | 型号/规格 | SPW47N60CFD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 极间电容 | 77（pF） |
- 所属城市：广东 深圳
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英飞凌K08T120原装现货IKW08T120功率三极管
信息内容：品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 IKW08T120 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 集电极允许电流ICM 8（A） 营销方式 厂家直销 产品性质 新品 dzsc/18/7141/18714155.jpg产品名称：8A 1200V英飞凌单管IKW08T120现货价优低 产品简介：供应8A 1200V英飞凌单管IKW08T120现货价格便宜型号:IKW08T120 厂家:INFINEON批号:11+ 封装:TO-247 原装现货库存，欢迎来电洽淡！应用:低饱和压降型IGBT单管已已广泛应用于逆变焊机、ups、微波炉、电磁炉，逆变电源等领域。IKW08T120特点： ☆采用沟槽栅...
英飞凌IGBT K25T1202 IKW25N120T2
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 IKW25N120T2 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 1200（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 50（pF） 货源稳定，长期供英飞凌IGBT单管IKW25N120T2(K25T1202)。IKW25N120T2 Tc = 25℃/100℃ Ic = 50A/25A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封装特点：适合开关频率fs≤50KHz的应用领域;正温被系数饱和压降易于并联;TO-247封装易于安装；采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管;。37.5A,1200V TO-247 Fast IGBTIKW25N120T2(K25T1202)特...
