价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | Infineon英飞凌 | |
型号/规格: | IKW08T120 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 高频 | |
极性: | NPN型 | |
封装形式: | 直插型 |
品牌/商标 | Infineon英飞凌 | 型号/规格 | IKW08T120 |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
集电极允许电流ICM | 8(A) | 营销方式 | 厂家直销 |
产品性质 | 新品 |
dzsc/18/7141/18714155.jpg产品名称:8A 1200V英飞凌单管IKW08T120现货价优低
产品简介:供应8A 1200V英飞凌单管IKW08T120现货价格便宜
型号:IKW08T120 厂家:INFINEON
批号:11+ 封装:TO-247 原装现货库存,欢迎来电洽淡!
应用:低饱和压降型IGBT单管已已广泛应用于逆变焊机、ups、微波炉、电磁炉,逆变电源等领域。
IKW08T120特点: ☆采用沟槽栅+电场终止 ...
我公司主营品牌产品:英飞凌,仙童,ST,MPS,产品线有IGBT单管,IGBT模块,可控硅,场效应(MOS)管,快恢复二极管,电源IC等,是提供技术支持的高性价比电子器件代理商。专向电焊机,焊接设备,开关电源,变频器,控制器,逆变器,照明,工防等行业提供快捷,全方位,贴心的服务。如有需要请来电咨询,期待与你的合作!
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品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 IKW25N120T2 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 1200(V) 夹断电压 1200(V) 跨导 20(μS) 极间电容 50(pF) 货源稳定,长期供英飞凌IGBT单管IKW25N120T2(K25T1202)。IKW25N120T2 Tc = 25℃/100℃ Ic = 50A/25A;VCE(sat)= 1.70V;1200V TO-247封装特点:适合开关频率fs≤50KHz的应用领域;正温被系数饱和压降易于并联;TO-247封装易于安装;采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管;。37.5A,1200V TO-247 Fast IGBTIKW25N120T2(K25T1202)特...
品牌/商标 飞利浦 型号/规格 BT152-600R 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 功率特性 大功率 额定正向平均电流 20(A) 控制极触发电流 32(mA)