| 品牌/商标 | LN | 型号/规格 | LN4863 |
| 封装 | SOP-16,TSSOP-20 | 批号 | 10+ |
| 制作工艺 | 膜集成 | 导电类型 | 双极型 |
| 规格尺寸 | 1(mm) | 工作温度 | 0~70(℃) |
| 静态功耗 | 1(mW) | 类型 | 放大器 |
+;:4863为双声道桥接音频功率放大电路,在5V输入电压条件下,能够为4Ω负载提供2.2W功率的稳定输出,为3Ω负载提供2.5W功率的稳定输出,总谐波失真和噪声不超过1%。耳机输入端允许在驱动立体声耳机时采用单端模式。
+;:4863采用表面贴片式封装,仅需很少的外部元件,专用于高品质音频功率放大。为简化音频系统设计,+;:4863将双桥扬声器功放和立体声耳机功放集成到一款芯片上。
+;:4863内置了低功耗待机电路和过热保护电路,同时内置了杂音消除电路,可以消除芯片启动和关断过程中的咔嗒声或噼噗声
关键指标
功率输出@1% THD+N & VDD=5V
+;:4863LQ ,RL=3Ω,4Ω 2.5W(typ.), 2.2W(typ.)
+;:4863MTE,RL= 3Ω,4Ω 2.5W(typ.), 2.2W(typ.)
+;:4863MTE,RL=8Ω 1.1W(typ.)
+;:4863,RL=8Ω 1.1W(typ.)
单端耳机模式THD+N@75mWinto 32 Ω 0.5%(Max)
关断电流 0.7uA(typ.)
供电电压 2.0V~5.5V
| 东莞市宏芯微电子有限公司 金平 先生 (业务经理经理) |
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品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 2306 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 厂家直销,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各被动元件经销商订购!描述:2306系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。2306适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路...
品牌/商标 进口 型号/规格 SI2302 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 100(mW) 厂家直销,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各被动元件经销商订购!描述:2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这...