低价销售GN2306/SI2306 /ME2306场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | ZET英国XETEX | |
| 型号： | 2306 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | 2306 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 极间电容 | 1（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| 漏极电流 | 1（mA） | 耗散功率 | 1（mW） |
厂家直销,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各被动元件经销商订购!
描述:
2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:
● 20V/5A
● RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
● 贴片封装：SOP8
应用:
● 笔记本电池管理
● 便携式设备
● 电池电源系统
● DC/DC转换
● 负载开关
● LCD显示适配器
引脚排列:
东莞市宏芯微电子有限公司是一家从事世界电子元器件的供应商。我司致力于开拓消费类电子和工业应用电子市场，并且在同业中以诚恳、和有效的销售服务取得了有目共睹的业绩。
公司主要经营 品牌二三极管,国产EEPROM 24 93 系列存储器 Freescale(Motorola)单片机、AIC anwell(LDO低压差稳压器)、场效应管MOSFET,贴片钽电容 等厂商的产品，PS2 PS3 WII 系列方案IC,并提供资料查阅、产品咨询、常备现货，全系列、多种封装产品订货服务！
公司业务领域涉及：通信设备、信息家电、工业控制、计算机及周边设备、汽车电子产品、语音、玩具及网络产品等相关消费产品领域。
公司以技术为依托、市场为导向，积累了丰富的经营经验，公司长年备有现货库存，同时和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理销售机构建立了良好的合作关系。公司以国内市场为主，业务遍布全球各地！以一流的质量和服务深受国内外厂家、经销商的信赖和支持！
| 东莞市宏芯微电子有限公司 金平 先生 (业务经理经理) |
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| 地 址： | 中国 广东 东莞市 塘厦镇石鼓村英才路45号 | ||
| 邮 编： | 523711 | ||
| 传 真： | 免费试用电子传真 | ||
| 电 话： | +86-769 -82089067 13713435586陈生 | ||
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| 公司主页： | http://www.king200588.cn.alibaba.com |
- 所属城市：广东 东莞
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 金平
- 电话：0769-82089067
- 传真：0769-82089067
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低价销售SI2302，N沟场效应管 I=3A RDS=0.039
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 SI2302 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 100（mW） 厂家直销,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各被动元件经销商订购!描述:2302系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。2302XG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这...
低价供应ME2307/GN2307场效应管(-4.1A)
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2307 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CHIP/小型片状 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 耗散功率 1（mW） 厂家直销,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各被动元件经销商订购!描述:2307系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。2307适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 特点:●-30V/-4.1A●RDS(ON)＜88mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.1A●RDS(ON)＜108mΩ@ VGS=-4...
