优势供应 NPN SOT-23 S8550 J3Y放大三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 长电 | |
| 型号/规格： | S8550 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
| 品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | S8550 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 150（MHz） | 集电极允许电流ICM | 0.5（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 0.3（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
S8050晶体管（NPN） 品牌：长电
采用SOT - 23塑料封装晶体管
特征
集电极电流: Ic=0.5A 芯片标记: J3Y
额定值（Ta = 25℃除非另有说明）
符号 参数值 单位
VCBO Collector-Base Voltage 40 V 集电极基电压
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V 集电极发射极电压
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 发射极基极电压
IC Collector Current –Continuous 0.5 A 集电极电流连续
PC Collector Dissipation 0.3 W 集电极耗散
Tj Junction Temperature 150 ℃ 结温
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ 储存温度
电气特性
参数 符号 测试条件 数值 （Tamb = 25℃除非另有说明）
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40V 集电极基极击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 25V 集电极发射极击穿电压
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5V 发射极基极击穿电压
Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 0.1 μA 集电极截止电流
Collector cut-off current ICEO VCB=20V , IE=0 0.1 μA 集电极截止电流
Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0.1 μA 发射极截止电流
DC current gain 直流电流增益
HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 120-350
HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6V 集电极发射极饱和电压
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2V 基极发射极饱和电压
Transition frequency（ fT） VCE=6V, IC= 20mA f=30MHz 150MHz 转换频率
放大倍数范围： 120-200（L） 200-350（H）
SOT-23 脚位：
1． 基极 2.发射极 3． 集电极
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 颜婵銮
- 电话：755-83234439
- 传真：755-83234439
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特价原装进口BAV99 NXP SOT-23快恢复二极管
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BAV99 产品类型 快恢复二极管 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 4.5（A） 反向电压 1（V） 电流, If 平均:200mA 电压, Vrrm:70V 正向电压 Vf :1V 时间, trr :6ns 电流, Ifs :4.5A 封装形式:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:A7s 封装类型:SOT-23 应用代码:高速 总功率, Ptot:330mW 正向电流, If:200mA 正向电压, 于If:1V 电流, If @ Vf:50mA 电流, Ifsm:4.5A 结温, Tj :150°C 表面安装器件:表面安装-----------------------------------------------------------------------------...
优势供应 场效应管 贴片MOS管 GT2305
信息内容：品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT2305 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 4700（mA） 耗散功率 1100（mW）
