价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRF830PBF | |
品牌/商标: | IR | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB IRF830PBF
描述 : | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB |
标准包装 : | 1,000 |
系列 : | - |
FET 型 : |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : |
标准型 |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : |
1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : |
500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : |
4.5A |
Id 时的 Vgs(th)() : |
4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : |
38nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : |
610pF @ 25V |
功率 - : |
74W |
安装类型 : |
通孔 |
封装/外壳 : |
TO-220-3 |
供应商设备封装 : |
TO-220AB |
包装 : |
管件 |
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MOSFET N-CH 600V 11A TO-220AB FQP11N60/SPP11N60C3 型号 : SPP11N60C3 产品目录绘图 : MOSFET TO-220(AB), TO-220-3 标准包装 : 500 系列 : CoolMOS™ FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 : 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : 380 毫欧 @ 7A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) : 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 11A Id 时的 Vgs(th)() : 3.9V @ 500µA 闸电荷(Qg) @ Vgs : 60nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : ...
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60 描述 : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 标准包装 : 50 系列 : QFET™ FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 : 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) : 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : 45 毫欧 @ 10.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() : 2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs : 87nC @ 0-10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2400pF @ 25V 功率 - : 208W ...