供应MOSFET N-CH 600V 11A TO-220AB FQP11N60/SPP11N60C3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQP11N60/SPP11N60C3 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220AB FQP11N60/SPP11N60C3
| 型号 ： |
SPP11N60C3 |
| 产品目录绘图 ： |
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3 |
| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | CoolMOS™ |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： |
标准型 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
380 毫欧 @ 7A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
11A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
3.9V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
60nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
1200pF @ 25V |
| 功率 - ： |
125W |
| 安装类型 ： |
通孔 |
| 封装/外壳 ： |
TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： |
PG-TO220-3 |
| 包装 ： |
散装 |
dzsc/18/7119/18711919.jpg
dzsc/18/7119/18711919.jpg
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
- 传真：0755-82534577
- 手机：13686868407
- QQ ：
供应MOSFET管 N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60/SPP20N60C3
信息内容：MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60 描述 ： MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 标准包装 ： 50 系列 ： QFET™ FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 20A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 45 毫欧 @ 10.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） ： 2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 87nC @ 0-10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 2400pF @ 25V 功率 - ： 208W ...
供应FDD86102 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
信息内容：FDD86102 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 描述 ： MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 标准包装 ： 2,500 系列 ： PowerTrench® FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 ： 逻辑电平门 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 24 毫欧 @ 8A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) ： 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 8A Id 时的 Vgs(th)（） ： 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 19nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1035pF @ 50V 功率 - ： 3.1W ...
