发送器和接收器THCV214
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | THINE | |
| 型号/规格： | THCV214 |
| 品牌/商标 | THINE | 型号/规格 | THCV214 |
| 类型 | 防爆压力变送器 | 测量介质 | 5 |
| 测量范围 | 12（kPa） | 精度等级 | 4 |
| 输出信号 | 3（mA） | 防爆等级 | 2 |
| 防护等级 | 1 | 电源电压 | 12（V） |
| 接口尺寸 | 3（mm） |
中文描述：的LVDS SERDES发送器和接收器
英文描述：LVDS SerDes transmitter and receiver
公司：楚望科技（香港）有限公司
QQ:625635549
MSN:chuwang001@hotmail.com
fax：0755-29471231
销售各种存储器， SAMSUNG， HYNIX， MICRON， HITACHI， TOSHIBA， NEC
"- 所属城市：广东 深圳
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功率场效应管IRF7413
信息内容：品牌/商标IR美国国际整流器公司型号/规格IRF7413种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途L/功率放大封装外形SMD(SO)/表面封装材料N-FET硅N沟道开启电压220（V） 夹断电压270（V） 低频跨导32（μS） 极间电容1（pF） 低频噪声系数1（dB） 漏极电流1（mA） 耗散功率1（mW） 英文描述：Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A)中文描述：功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 30V的，身份证\u003d 12A条） 公司：楚望科技（香港）有限公司电话：0755-29471231QQ: 625635549MSN:chuwang001@hotmail.com
功率场效应管NTD3055L104
信息内容：品牌/商标Omnirel美国型号/规格NTD3055L104种类结型(JFET)沟道类型P沟道导电方式增强型用途VA/场输出级封装外形CHIP/小型片状材料GE-P-FET锗P沟道开启电压2（V） 夹断电压2（V） 低频跨导2（μS） 极间电容2（pF） 低频噪声系数2（dB） 漏极电流2（mA） 耗散功率2（mW） 英文描述：Power MOSFET中文描述：功率MOSFET 公司：楚望科技（香港）有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax：0755-29471231销售各种存储器， SAMSUNG， HYNIX， MICRON， HITACHI， TOSHIBA， NEC
