品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF7413 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 220(V) | 夹断电压 | 270(V) |
低频跨导 | 32(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A) |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 30V的,身份证\u003d 12A条) |
公司:楚望科技(香港)有限公司
电话:0755-29471231
QQ: 625635549
MSN:chuwang001@hotmail.com
品牌/商标Omnirel美国型号/规格NTD3055L104种类结型(JFET)沟道类型P沟道导电方式增强型用途VA/场输出级封装外形CHIP/小型片状材料GE-P-FET锗P沟道开启电压2(V) 夹断电压2(V) 低频跨导2(μS) 极间电容2(pF) 低频噪声系数2(dB) 漏极电流2(mA) 耗散功率2(mW) 英文描述:Power MOSFET中文描述:功率MOSFET 公司:楚望科技(香港)有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax:0755-29471231销售各种存储器, SAMSUNG, HYNIX, MICRON, HITACHI, TOSHIBA, NEC
品牌/商标NXP恩智浦型号/规格PESD12VS2UT产品类型功率二极管结构面接触型材料硅(Si)封装形式贴片型封装材料塑料封装功率特性小功率频率特性高频发光颜色电压控制LED封装无色透明封装(T)出光面特征组合型发光强度角分布散射型正向直流电流IF220(A) 反向电压270(V) 中文描述:双SOT23封装的ESD保护二极管英文描述:Double ESD protection diodes in SOT23 package 公司:楚望科技(香港)有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax:0755-29471231