可控硅M25GZ51 F25GZ51 F25JZ51
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | Toshiba东芝 | |
| 型号： | M25GZ51 F25GZ51 F25JZ51 |
| 品牌/商标 | Toshiba东芝 | 型号/规格 | M25GZ51 F25GZ51 F25JZ51 |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 二极 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 封装外形 | 平板形 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 频率特性 | 中频 | 功率特性 | 中功率 |
| 额定正向平均电流 | 0（A） | 控制极触发电流 | 0（mA） |
| 稳定工作电流 | 0（A） | 反向重复峰值电压 | 0（V） |
可控硅M25GZ51 F25GZ51 F25JZ51
本公司经营功放配对管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压
等大中功率管.
更多型号咨询QQ：190389897 或发邮件到zhuiyuandz@163.com
也可以登陆http://zhuiyuandz.cn.alibaba.com查询
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长期供应IRFP360结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP360 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
可控硅M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51
信息内容：品牌/商标 Toshiba东芝 型号/规格 M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 树脂封装 封装外形 平板形 关断速度 普通 散热功能 不带散热片 频率特性 中频 功率特性 中功率 额定正向平均电流 0（A） 控制极触发电流 0（mA） 稳定工作电流 0（A） 反向重复峰值电压 0（V） 可控硅M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51 本公司经营功放配对管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大中功率管.更多型号咨询QQ：190389897 或发邮件到zhuiyuandz@163.com也可以登陆http://zhuiyuandz.cn.alibaba.com查询
