可控硅M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | Toshiba东芝 | |
| 型号： | M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51 |
| 品牌/商标 | Toshiba东芝 | 型号/规格 | M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51 |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 封装外形 | 平板形 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 频率特性 | 中频 | 功率特性 | 中功率 |
| 额定正向平均电流 | 0（A） | 控制极触发电流 | 0（mA） |
| 稳定工作电流 | 0（A） | 反向重复峰值电压 | 0（V） |
可控硅M16JZ51 M16GZ51 F16JZ51
本公司经营功放配对管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压
等大中功率管.
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快恢复两极管DSEI60-12
信息内容：产品类型 快恢复二极管 品牌/商标 IXYS 型号/规格 DSEI60-12 结构 点接触型 封装形式 引线 发光颜色 电压控制 LED封装 有色散射(D) 出光面特征 矩形 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 0（A） 反向电压 0（V）
场效应IRFP448
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP448 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
