ESD保护二极管PESD5V0L6UAS
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | NXP恩智浦 | 型号/规格 | PESD5V0L6UAS |
| 产品类型 | 功率二极管 | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 有色透明封装(C) | 出光面特征 | 组合型 |
| 发光强度角分布 | 散射型 | 正向直流电流IF | 220（A） |
| 反向电压 | 270（V） |
| 英文描述： | Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays - Cd max.: 19 pF; IRM max: 0.025A; Number of protected lines: 6 ; PPP max: 35 W; VBR typ.: 6.8 V; VRWM: 5 V |
中文描述：低电容6倍的ESD保护二极管阵列 - 镉：19 pF的; IRM的值：0.025A;保护通道数：6; PPP的：35瓦;的VBR典型值：6.8伏; VRWM：5伏。。
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功率场效应管IRLZ44N
信息内容：品牌/商标IR美国国际整流器公司型号/规格IRLZ44NS种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途L/功率放大封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料N-FET硅N沟道开启电压55（V） 夹断电压2（V） 低频跨导2（μS） 极间电容2（pF） 低频噪声系数2（dB） 漏极电流2（mA） 耗散功率2（mW） 中文描述：功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.022ohm，身份证\u003d 47A条）英文描述：Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) 公司：楚望科技（香港）有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax：0755-29471231销售各种存储器， SAMSUNG， HYNIX， MICRON， HITACHI， TOSHIBA， NEC
功率场效应管IRFF430
信息内容：品牌/商标IR美国国际整流器公司型号/规格IRFF430种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途TR/激励、驱动封装外形SP/特殊外形材料MES金属半导体开启电压220（V） 夹断电压110（V） 低频跨导12（μS） 极间电容0.3（pF） 低频噪声系数0.01（dB） 漏极电流0.06（mA） 耗散功率1（mW） 中文描述：的HEXFET三极管通孔（至205AF）英文描述：HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF 公司：楚望科技（香港）有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax：0755-29471231
