品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRLZ44NS |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 2(V) |
低频跨导 | 2(μS) | 极间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 2(dB) | 漏极电流 | 2(mA) |
耗散功率 | 2(mW) |
中文描述:功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 0.022ohm,身份证\u003d 47A条)
英文描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)
公司:楚望科技(香港)有限公司
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品牌/商标IR美国国际整流器公司型号/规格IRFF430种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途TR/激励、驱动封装外形SP/特殊外形材料MES金属半导体开启电压220(V) 夹断电压110(V) 低频跨导12(μS) 极间电容0.3(pF) 低频噪声系数0.01(dB) 漏极电流0.06(mA) 耗散功率1(mW) 中文描述:的HEXFET三极管通孔(至205AF)英文描述:HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF 公司:楚望科技(香港)有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax:0755-29471231
品牌/商标LINEAR型号/规格LT1763CS8-5批号2010+封装SOP-8营销方式库存产品性质热销处理信号数模混合信号制作工艺半导体集成导电类型双极型集成程度大规模规格尺寸12(mm) 工作温度-40~85(℃) 静态功耗0.01(mW) 类型稳压IC 中文描述:500mA的,低噪声,LDO的微功耗稳压器英文描述:500mA, Low Noise, LDO Micropower Regulators公司:楚望科技(香港)有限公司QQ:625635549MSN:chuwang001@hotmail.comfax:0755-29471231