品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 4435 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | -1.4(V) | 夹断电压 | 30(V) |
漏极电流 | 10500(mA) | 耗散功率 | 2500(mW) |
品牌/商标 台产 型号/规格 4407 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 1.8(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 12000(mA) 耗散功率 3000(mW) MOS管供应商,期待与您的合作。。 AO4407 SOP-8 2500PCS/盘30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10A= 14mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-10A= 20mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深...
品牌/商标 台产 型号/规格 2306 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 3500(mA) MOS管供应商,期待与您的合作。。 2306 SOT-23 3000PCS/盘30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@10V,Ids@3.5A= 46mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A= 70mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应...