优势供应MOS管 2306 30V SOT-23
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 台产 | |
| 型号： | 2306 |
| 品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 2306 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.8（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 漏极电流 | 3500（mA） |
MOS管供应商，期待与您的合作。。
2306 SOT-23 3000PCS/盘
30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V N 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@10V,Ids@3.5A= 46mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A= 70mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 GT3400
信息内容：品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT3400 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 5800（mA） 耗散功率 1400（mW）
优势供应 场效应管 贴片MOS管 GT2312
信息内容：品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT2312 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 3700（mA） 耗散功率 750（mW） GT2312 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.9A= 25mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@4.4A= 31mΩRDS(ON),Vgs@1.8V,Ids@3.9A= 40mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市...
