大功率IGBT FGA40N60UFD[信息已过期]
价 格：
20.00
品牌： FAIRCHILD
型号： FGA40N60UFD
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FGA40N60UFD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | IGBT绝缘栅比极 | 漏极电流 | 40A（mA） |
| 耗散功率 | 160W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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[信息已过期][信息已过期][信息已过期]IGBT三极管 FGL40N120[信息已过期]
信息内容：品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FGL40N120 应用范围 功率 功率特性 大功率 极性 NPN型 结构 平面型 材料 硅 封装形式 TO-3PL/TO-264 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 64（A） 集电极耗散功率PCM 500（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 標準包裝 25類別 離散半導體產品家庭 IGBT - 單路輸入類型 標準電壓 - 集電極發射極擊穿（值） 1200V電流 - 集電極(Ic)（值） 64A Vge,Ic時的Vce（開） 3.2V @ 15V, 40A功率 - 500W安裝類型 通孔式封裝/外殼 TO-3PL/TO-264封裝 散裝其他名稱 FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU-ND FGL40N120ANDTU_NL FGL40N120ANDTU_NL-ND 描述晶体管类型...
原装场效应管STP55NF06/55NF06/P55NF06/50N06华强实体店Q1C040室
信息内容：品牌/商标 SGS法意电子 型号/规格 STP55NF06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1.7（V） 夹断电压 0（V） 跨导 30S（μS） 漏极电流 55a（mA） 耗散功率 95W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:50A电压, Vds :60V在电阻RDS（上）:18mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3V工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:30W功耗:95W封装类型:TO-220漏极电流, Id 值:50A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:200A表面安装...
