是否提供加工定制: | 是 | 品牌: | FairChild仙童 |
型号: | 18N50 13N50 | 应用范围: | 功率 |
材料: | 硅(Si) | 极性: | PNP型 |
集电极允许电流ICM: | A(A) | 集电极耗散功率PCM: | W(W) |
截止频率fT: | MHZ(MHz) | 结构: | 点接触型 |
封装形式: | 直插型 | 封装材料: | 金属封装 |
品牌: TOS日本东芝 型号: K2679 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: S/开关 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 场效应管与晶体管的区分 1、场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 3、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺...
集电极耗散功率PCM: w 集电极允许电流ICM: 1 封装形式: 直插型 截止频率fT: mhz 型号: LT1084CP 材料: 硅(Si) 品牌: 进口 应用范围: 开关 三极管的种类与结构 三极管分很多种,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中,晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管,在内部结构上具有其特殊性,这就是:其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度,集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度;其二是基区很薄,一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。