集电极耗散功率PCM: w
集电极允许电流ICM: 1
封装形式: 直插型
截止频率fT: mhz
型号: LT1084CP
材料: 硅(Si)
品牌: 进口
应用范围: 开关
是否提供加工定制: 是 品牌: 进口 型号: 7N80 应用范围: 开关 材料: 硅(Si) 极性: PNP型 击穿电压VCBO: V(V) 集电极允许电流ICM: A(A) 集电极耗散功率PCM: W(W) 截止频率fT: MHZ(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 金属封装 (4)用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
品牌: ST/意法 型号: W7NA80 7N80 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: S/开关 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。